Dq(数据总线)与Dqs(时钟信号)构成随路时钟。在Dqs上升或下降沿翻转Dq数据总线信号。注意:dq与dqs为双线信号。两个信号都由发送方发送。dqs为数据同步信号。ODT引脚:片上终端电阻,数据线接上拉电阻。
Dq(数据总线)与Dqs(时钟信号)构成随路时钟。在Dqs上升或下降沿翻转Dq数据总线信号。注意:dq与dqs为双线信号。两个信号都由发送方发送。dqs为数据同步信号。ODT引脚:片上终端电阻,数据线接上拉电阻。
像所有的SDRAM实现方法一样,DDR2 SDRAM有一个同步接口,在响应控制输入前会等待一个时钟信号,这样就能和计算机的系统总线同步。像之前的DDR,DDR2 I/O 缓冲器在时钟信号的上升沿和下降沿都传输数据(一种叫做...
DDR2 SDRAM 操作时序规范,总共47页,主要讲了如何上电初始化,模式寄存器的设置,以及怎样读写操作。
什么是ROM,RAM,SRAM,SDRAM,DDR,DDR2,DDR3 文章目录什么是ROM,RAM,SRAM,SDRAM,DDR,DDR2,DDR3前言一、何为RAM和ROM?二、何为SRAM三、何为SDRAM四、何为DDR总结 前言 ROM和RAM在生活中是非常常见的,而...
Altera与Northwest Logic宣布为Altera的高密度Stratix II与Stratix II GX FPGA,提供经过硬件验证的667-Mbps DDR2 SDRAM接口,这个接口结合了Altera的自动校准DDR2 PHY与Northwest Logic的全功能DDR2 SDRAM控制器...
赛灵思DDR2-SDRAM接口采用了创新的Virtex-4 ChipSync技术,这是一种运行时校准电路,可以极大地提高设计余量和整体系统可靠性,同时缩短设计周期。 Virtex-4 FPGA将臆测清除出内存接口设计,使系统设计师能够为...
三星电子称,采用70nm工艺生产的512Mb DDR2 SDRam存储芯片,是当前80nm 和 90nm处理工艺的延续。但目前采用70nm处理工艺的每个晶圆上的芯片数量至少要比采用90nm工艺所包含的芯片数量多出一倍。新的生产工艺...
OverviewAltera offers a PCI Express to DDR2 SDRAM reference design that demonstrates the operation of Alteras PCI Express (PCIe) MegaCore® product. This reference design provides an interface ...
基于FPGA的DDR2 SDRAM存储器用户接口设计pdf,使用功能强大的FPGA来实现一种DDR2 SDRAM存储器的用户接口。该用户接口是基于XILINX公司出产的DDR2 SDRAM的存储控制器,由于该公司出产的这种存储控制器具有很高的效率,...
开发环境是Capture+Allegro+CAM350,从原理图修改到PCB的布局、布线这整个过程中我遇到了相当多的问题,值得庆幸的是有一些问题的解决倒是可以说是一劳永逸,比较典型的就是DDR2的布局与布线。
DDR2 SDRAM 操作时序规范 三星的中文文档。可参考英文打他sheet一起看
赛灵思 667 DDR2-SDRAM 接口采用了创新的 Virtex-4 ChipSync:trade_mark: 技术,这是一种运行时校准电路,可以极大地提高设计余量和整体系统可靠性,同时缩短设计周期。 Virtex-4 FPGA 将臆测清除出内存接口设计,使...
其 中 验 证 方 法 采 用 Ve r i l o g HD L 硬 件 描 述 语 言 构 建 了 D DR 2 控 制 器 I P 软 核 的 测 试平 台 , 通 过 Mo d e l S i m 软件 对 DD R2 仿 真 模 型测 试 无...
Elpida公司近日发布了面向高端PC市场设计的,工作速率高达800Mbps的256Mb DDR2 SDRAM的样品。这种DDR2 SDRAM采用×8或×16位带宽,可方便地集成到DDR2非缓存双列直插内存模块(DIMM)中。 Elpida的这款256Mb DDR2内存...
Altera公司今天宣布其Stratix:registered: II器件系列达到支持667Mbps DDR2 SDRAM接口数据速率的标准。Altera新的自校准PHY存储器接口控制器知识产权(IP)内核以及Stratix II FPGA优异的信号完整性使Altera能够帮助...
使用功能强大的FPGA来实现一种DDR2 SDRAM存储器的用户接口。该用户接口是基于XILINX公司出产的DDR2 SDRAM的存储控制器,由于该公司出产的这种存储控制器具有很高的效率,使用也很广泛,可知本设计具有很大的使用前景...
韩国电子巨头三星电子公司日前宣称,他们开发研制出了全球第一款使用70nm工艺生产的512Mb DDR2 SDRam存储芯片,这也是目前存储芯片制造领域内的最精细的微处理技术。 三星电子称,采用70nm工艺生产的512Mb DDR2...
在研究有关DDR2SDRAM技术规范的基础上,提出了DDR2SDRAM控制器的整体架构设计。采用层次设计方法,以功能为单位,将控制器的设计划分为多个功能模块,使用Verilog语言完成控制器各个模块的RTL级设计,利用Chipscope工具对...
DDR2 SDRAM SPECIFICATION,JEDEC Standard,Package ballout & addressing,Functional description
日本存储芯片制造商Elpida 储存公司日前宣布,公司已经开始大规模生产基于70纳米制造工艺的1GB和512MB储存容量的DDR2 SDRAM芯片。 Elpida储存公司称,它是目前全球首家采用70纳米工艺制造1GB和512MB的DDR2 SDRAM...
Data sheet of K4T51163QG
为了满足高速实时数据采集系统对所采集海量数据进行缓存的要求,通过研究FIFO的基本工作原理,利用FPGA和DDR2 SDRAM设计了一种高速大容量异步FIFO。使用Xilinx提供的存储器接口生成器(MIG)实现FPGA与DDR2的存储器...
镁光DDR2的altium封装库,包含原理图库和封装库 镁光DDR2的altium封装库,包含原理图库和封装库
之前对DDR2的原理与板级布线非常的陌生,导致刚开始布线时走了很多弯路,折腾了好几天才解决。由于DDR2布线的严格要求,整个布线思路也是更新了若干次,不过现在看来,今后若再布DDR的线会效率更高的。其实两个星期...
基于FPGA的DDR2 SDRAM控制器设计.pdf